FMUSER اصلی جدید MRFE6VP5600H RF ترانزیستور قدرت MOSFET ترانزیستور برای 600w FM فرستنده-RF ترانزیستور-FMUSER FM / TV پخش یکبار توقف

ترانزیستور قدرتمند FMUSER جدید MRFE6VP5600H RF ترانزیستور قدرت Power MOSFET ترانزیستور برای 600 وات فرستنده FM نمای کلی: این دستگاه های با مقاومت بالا ، MRFE6VP5600HR6 و MRFE6VP5600HSR6 ، برای استفاده در صنایع VSWR بالا (از جمله لیزر و پخش کننده های پلاسما و دیجیتال) برنامه های تلفن همراه رادیویی / زمینی. اینها طرحهای ورودی و خروجی بی نظیری هستند که امکان استفاده از دامنه فرکانس وسیع ، بین 1.8 تا 600 مگاهرتز را دارند. ویژگی ها: * ورودی و خروجی بی همتا اجازه استفاده از دامنه فرکانس گسترده را می دهد. * دستگاه را می توان به صورت تک پایان یا در تنظیمات Push-Pull استفاده کرد. * حداکثر 50 VDD واجد شرایط. * شخصیت

جزئیات

قبلی:ترانزیستور قدرت بالا FMUSER اصلی جدید SD2931-11 RF ترانزیستور قدرت بالا 20V MOSFET

بعد:FMUSER اصلی SD2942 N-Channel 350W خروجی RF ترانزیستور RF MOSFET ترانزیستور RF ترانزیستور RF

قیمت (تومان)	تعداد (PCS)	حمل و نقل (USD)	مجموع (USD)	روش حمل و نقل	پرداخت
265	1	35	300	DHL
				DHL

ترانزیستور MOSFET قدرت ترانزیستور MOSFET برای فرستنده 6w FM FMUSER اصلی جدید MRFE5600VP600H RF

بررسی اجمالی:

این دستگاه های با ناهمواری بالا ، MRFE6VP5600HR6 و MRFE6VP5600HSR6 ، برای استفاده در برنامه های کاربردی صنعتی بالا VSWR (از جمله لیزر و محرک های پلاسما) ، پخش (آنالوگ و دیجیتال) ، هوافضا و رادیو / زمین های تلفن همراه طراحی شده اند. آنها طراحی های ورودی و خروجی بی همتا هستند که امکان استفاده از محدوده فرکانس وسیع ، بین 1.8 و 600 مگاهرتز را دارند.

امکانات:
* ورودی و خروجی بی همتا اجازه استفاده از محدوده فرکانس وسیع را می دهد.
* می توان از دستگاه Single-End یا در پیکربندی Push-Pull استفاده کرد.
* واجد شرایط تا حداکثرمتر از 50 عملیات VDD.
* مشخص شده از 30 ولت تا 50 ولت برای برد قدرت پیشرفته.
* مناسب برای کاربرد خطی با بایاس مناسب.
* حفاظت یکپارچه ESD با دامنه ولتاژ منبع دروازه منفی بیشتر برای عملیات کلاس C بهبود یافته.
* با پارامترهای مقاومت به سیگنال بزرگ مساوی سری مشخص شده است.
* سازگار با RoHS.
* در نوار و حلقه R6 Suffix = واحد 150، 56 میلی متر نوار عرض، 13 اینچ حلقه.
* این محصولات در برنامه طول عمر محصول ما با عرضه مطمئن برای حداقل سال 15 پس از راه اندازی گنجانده شده است.

پارامترهای کلیدی:

فرکانس (حداقل) (مگاهرتز)	1.8
فرکانس (حداکثر) (مگاهرتز)	600
ولتاژ منبع تغذیه (نوع) (V)	50
P1dB (Type) (dBm)	57.8
P1dB (Type) (W)	600
توان خروجی (نوع) (W) @ سطح intermodulation در سیگنال تست	600.0 @ CW
سیگنال تست	1-تون
افزایش قدرت (نوع) (dB) @ f (MHz)	24.6 @ 230
کارآیی (نوع) (٪)	75.2
مقاومت حرارتی (مشخصات) (℃ / W)	0.12
طبقه	AB
تطابق	بی همتا
فناوری مرگ	LDMOS

جدول عملکرد RF:
باریک باند 230 مگاهرتز
عملکرد معمولی: VDD = 50 ولت ، IDQ = 100 میلی آمپر

نوع سیگنال	Pout (W)	f (مگاهرتز)	جیپیاس (dB)	ηD (٪)	IRL (دسی بل)
پالس (100 میکرو ثانیه ، 20٪ چرخه وظیفه)	قله 600	230	25.0	74.6	-18
CW	600 میانگین	230	24.6	75.2	-17