FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS ترانزیستور ناهمواری بالا N - تقویت کانال - تقویت حالت MOSFETs ترانزیستور-RF ترانزیستور-RF ترانزیستور-FMUSER FM / TV پخش یک مرحله ای

ترانزیستور FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS بالا ناهمواری N - حالت تقویت کانال جانبی MOSFETs ترانزیستور توضیحات این دستگاه های مقاومت بالا برای استفاده در صنعتی با VSWR بالا (از جمله تحریک کننده های لیزر و پلاسما) ، پخش (آنالوگ و دیجیتال) ، هوا فضا و رادیو / زمین طراحی شده اند. برنامه های موبایل. اینها طرحهای ورودی و خروجی بی نظیری هستند که امکان استفاده از دامنه فرکانس وسیع ، بین 1.8 تا 600 مگاهرتز را دارند. عملکرد معمول: VDD = 50 Vdc مقدار پارامتر ● فرکانس (حداقل) (مگاهرتز): 1.8 ● فرکانس (حداکثر) (مگاهرتز): 600 Vol ولتاژ تأمین (نوع) (V): 50 ● P1dB (نوع) (dBm): 51.8 ● P1dB (نوع) (W): 150 Power توان خروجی (نوع) (W) @ سطح مدولاسیون در سیگنال تست: CW @

جزئیات

قبلی:FMUSER اصلی SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-channel MOS اثر میدانی پهنای باند RF قدرت میدان اثر ترانزیستور

بعد:ترانزیستور قدرت FMUSER اصلی BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF

قیمت (تومان)	تعداد (PCS)	حمل و نقل (USD)	مجموع (USD)	روش حمل و نقل	پرداخت
126	1	0	126	DHL
				DHL

FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS ترانزیستور ناهمواری بالا N - حالت تقویت کانال کانال جانبی MOSFET ترانزیستور

توضیحات:

این دستگاه های با مقاومت بالا برای استفاده در VSWR بالا طراحی شده اند صنعتی (از جمله لیزر و بخاری پلاسما) ، پخش (آنالوگ و دیجیتال) ، برنامه های تلفن همراه هوافضا و رادیو / زمین. آنها ورودی بی همتا و طرح های خروجی اجازه می دهد تا از طیف گسترده ای فرکانس ، بین 1.8 و 600 مگاهرتز.

عملکرد معمولی: VDD = 50 Vdc

پارامتر ارزش
qu فرکانس (حداقل) (MHz): 1.8
● فرکانس (حداکثر) (مگاهرتز): 600
● ولتاژ منبع تغذیه (نوع) (V): 50
● P1dB (Type) (dBm): 51.8
● P1dB (Type) (W): 150
● توان خروجی (نوع) (W) @ سطح intermodulation در سیگنال تست: CW @ 150.0
● سیگنال تست: CW
● افزایش قدرت (نوع) (dB) @ f (MHz): 230 @ 26.3
● کارآیی (نوع) (٪): 72
● مقاومت حرارتی (مشخصات) (℃ / W): 0.21
● تطابق: بی همتا
● کلاس: AB
● فناوری Die: LDMOS